台湾积体电路制造股份有限公司杨曜祯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222981939U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421250633.3，技术领域涉及：H10N97/00；该实用新型半导体装置是由杨曜祯;林建宏;韩宗达;沈香谷设计研发完成，并于2024-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包含下部接触部件于基板上方；第一介电层于下部接触部件上方；金属‑绝缘体‑金属结构于第一介电层上方；第二介电层于金属‑绝缘体‑金属结构上方；导电部件延伸穿过第二介电层、金属‑绝缘体‑金属结构及第一介电层，且电性地耦合至下部接触部件，其中金属‑绝缘体‑金属结构包含第一导体板层、第二导体板层，于第一导体板层上方及绝缘体层，于第一导体板层与第二导体板层之间，其中导电部件与第一导体板层在第一界面上交界，且导电部件与第二导体板层在第二界面上交界，其中绝缘体层延伸超过第一界面及第二界面大于约5纳米的距离，且绝缘体层直接接触绝缘体层的顶部、底部及侧表面上的导电部件。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一下部接触部件，于一基板上方； 一第一介电层，于该下部接触部件上方； 一金属-绝缘体-金属结构，于该第一介电层上方； 一第二介电层，于该金属-绝缘体-金属结构上方；以及 一导电部件，延伸穿过该第二介电层、该金属-绝缘体-金属结构及该第一介电层，且电性地耦合至该下部接触部件， 其中该金属-绝缘体-金属结构包括一第一导体板层、一第二导体板层，于该第一导体板层上方及一绝缘体层，于该第一导体板层与该第二导体板层之间， 其中该导电部件与该第一导体板层在一第一界面上交界，且该导电部件与该第二导体板层在一第二界面上交界， 其中该绝缘体层延伸超过该第一界面及该第二界面大于5纳米的距离，且该绝缘体层直接接触该绝缘体层的顶部、底部及侧表面上的该导电部件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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