江西兆驰半导体有限公司侯合林获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310421472.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED是由侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、插入层、过渡层、有源层、P型氮化物层；所述插入层上包括若干个氮化物三棱柱，所述氮化物三棱柱包括底面和侧面，所述底面与所述N型GaN层相贴合，所述侧面为半极性面；所述过渡层包括周期性交替层叠的半极性面GaN层和半极性面InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够使得极性面有源层成功转换为半极性面有源层，改善了电子泄漏问题的同时，提升了量子阱层中的空穴浓度，提高了发光效率。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、插入层、过渡层、有源层、P型氮化物层； 所述插入层上包括若干个氮化物三棱柱，所述氮化物三棱柱包括底面和侧面，所述底面与所述N型GaN层相贴合，所述侧面为半极性面； 所述过渡层包括周期性交替层叠的半极性面GaN层和半极性面InGaN层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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