天合光能股份有限公司张倬涵获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳电池及太阳电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310341102.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳电池及太阳电池的制备方法是由张倬涵;陈达明;胡匀匀;柳伟;季雯娴;杨睿;徐冠超;张学玲;杨广涛;陈奕峰设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳电池及太阳电池的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种太阳电池，包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极；衬底具有相对设置的正面和背面；第一发射极和第二发射极设置于衬底的背面，第一电极设置于第一发射极远离衬底的一侧且电连接于第一发射极，第二电极设置于第二发射极远离衬底的一侧且电连接于第二发射极；绝缘间隔结构设置于第一发射极与第二发射极之间，且第一发射极与第二发射极通过绝缘间隔结构相间隔。绝缘间隔结构将第一发射极与第二发射极进行有效地间隔，避免载流子在第一发射极与第二发射极的界面上的复合，因而能够有效降低太阳电池的反向漏电，提高太阳电池的效率。
本发明授权太阳电池及太阳电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极； 所述衬底具有相对设置的正面和背面；所述第一发射极和所述第二发射极设置于所述衬底的背面，所述第一发射极具有第一掺杂类型，所述第二发射极具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述第一电极设置于所述第一发射极远离所述衬底的一侧且电连接于所述第一发射极，所述第二电极设置于所述第二发射极远离所述衬底的一侧且电连接于所述第二发射极； 所述绝缘间隔结构设置于所述第一发射极与所述第二发射极之间，且所述第一发射极与所述第二发射极通过所述绝缘间隔结构相间隔； 所述绝缘间隔结构包括环状的间隔槽和设置于所述间隔槽中的绝缘部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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