恭喜台湾积体电路制造股份有限公司叶昱辰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210812864.8，技术领域涉及：H10N60/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由叶昱辰;梁启德;管希圣设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了半导体器件，包括源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间；一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，所述一对耗尽栅极均与所述沟道区重叠，并且在所述沟道区中和所述一对耗尽栅极之间限定量子点量子比特区；累积栅极，位于所述一对耗尽栅极之上，并且跨越所述一对耗尽栅极；以及超导谐振器，与所述量子点量子比特区横向地相邻。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 源极区、漏极区、和沟道区，位于衬底中，其中，所述沟道区位于所述源极区和所述漏极区之间； 一对耗尽栅极，彼此间隔开，其中，所述一对耗尽栅极均与所述沟道区重叠，并且在所述沟道区中和所述一对耗尽栅极之间限定量子点量子比特区； 累积栅极，位于所述一对耗尽栅极之上，并且跨越所述一对耗尽栅极；以及 超导谐振器，与所述量子点量子比特区横向地相邻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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