恭喜中国科学院半导体研究所石文奇获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利片上双程增益光放大装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115051241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210665255.4，技术领域涉及：H01S5/50；该发明授权片上双程增益光放大装置及其制备方法是由石文奇;邹灿文;曹玉莲;刘建国设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本片上双程增益光放大装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种片上双程增益光放大装置及其制备方法，装置包括：硅基马赫‑曾德尔干涉仪和半导体光放大器；其中，硅基马赫‑曾德尔干涉仪包括：长臂硅波导和短臂硅波导；长臂硅波导与半导体光放大器相连接，用于输入信号光，并耦合信号光到半导体光放大器中；半导体光放大器用于对信号光进行放大，得到放大的信号光，以及耦合放大的信号光到长臂硅波导中；短臂硅波导用于从长臂硅波导中耦合出放大的信号光，并输出放大的信号光；半导体光放大器靠近长臂硅波导的一端镀有增透膜以防止半导体光放大器自身的激射，远离长臂硅波导的一端镀有增反膜以反射放大的信号光。本公开的装置实现了信号光的双程增益，以及片上SOA的单端输入输出。
本发明授权片上双程增益光放大装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种片上双程增益光放大装置，其特征在于，包括： 硅基马赫-曾德尔干涉仪（A）和半导体光放大器（B）； 其中，所述硅基马赫-曾德尔干涉仪（A）包括： 长臂硅波导（1）和短臂硅波导（2）； 所述长臂硅波导（1）与所述半导体光放大器（B）相连接，用于输入信号光，并耦合所述信号光到所述半导体光放大器（B）中； 所述半导体光放大器（B）用于对所述信号光进行放大，得到放大的信号光，以及耦合所述放大的信号光到所述长臂硅波导（1）中； 所述短臂硅波导（2）用于从所述长臂硅波导（1）中耦合出所述放大的信号光，并输出所述放大的信号光； 所述半导体光放大器（B）靠近所述长臂硅波导（1）的一端镀有增透膜（B2）以防止所述半导体光放大器（B）自身的激射，远离所述长臂硅波导（1）的一端镀有增反膜（B3）以反射所述放大的信号光。
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