恭喜京东方科技集团股份有限公司杨维获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种驱动背板、显示面板及驱动背板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210583098.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种驱动背板、显示面板及驱动背板的制造方法是由杨维;曲燕;王利忠;周天民设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种驱动背板、显示面板及驱动背板的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种驱动背板、显示面板及驱动背板的制造方法，其中，驱动背板包括：第一绝缘层，设置在低温多晶硅半导体层和氧化物半导体层远离衬底基板的一侧；穿透第一绝缘层的接触孔包括：第一过孔和第二过孔，第一过孔延伸至低温多晶硅半导体层远离基板的一侧；第二过孔延伸至氧化物半导体层远离基板的一侧；氧化物半导体层对应于第二过孔的位置设置有连接孔；设置在第一过孔中的第一电极结构与低温多晶硅半导体层接触；设置在第二过孔和连接孔中的第二电极结构在连接孔中与氧化物半导体层形成侧面接触。制造本发明的驱动背板时可减少图形化掩膜工艺步骤，降低工艺成本。
本发明授权一种驱动背板、显示面板及驱动背板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种驱动背板的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底基板第一区域形成低温多晶硅半导体层，以及第二区域形成氧化物半导体层； 在所述低温多晶硅半导体层和所述氧化物半导体层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上覆盖图形化掩膜，并形成穿透所述第一绝缘层的接触孔；其中，所述接触孔包括：形成在所述低温多晶硅半导体层远离所述衬底基板一侧的第一过孔，以及形成在所述氧化物半导体层远离所述衬底基板一侧的第二过孔； 在所述第一过孔中形成与所述低温多晶硅半导体层接触的第一电极结构，和在所述第二过孔中形成与所述氧化物半导体层接触的第二电极结构； 所述在所述第一绝缘层上形成接触孔，包括： 在含氧的气氛条件下干法刻蚀所述第一绝缘层，形成延伸至所述低温多晶硅半导体层的所述第一过孔，以及形成延伸至所述氧化物半导体层的所述第二过孔； 在无氧的气氛条件下干法刻蚀掉所述第一过孔底部的所述低温多晶硅半导体层表面的氧化层。
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