买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利栅极的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210250430.3，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权栅极的刻蚀方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅极的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种栅极的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上分布有第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一类型的MOS器件，第二区域用于形成第二类型的MOS器件，衬底上形成有栅介质层，栅介质层上形成有多晶硅层，第二区域的多晶硅层中形成有掺杂层；进行第一刻蚀，直至目标区域的掺杂层被去除，在第一刻蚀过程中，通入的反应气体包括含氟气体；进行第二刻蚀，直至目标区域的多晶硅层被去除，第一区域剩余的多晶硅层形成第一类型的MOS器件的栅极，第二区域剩余的掺杂层和多晶硅层形成所述第二类型的MOS器件的栅极，在第二刻蚀过程中，减少反应气体中的含氟气体，增加反应气体中的含氯气体。

本发明授权栅极的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底，所述衬底上分布有第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一类型的MOS器件，所述第二区域用于形成第二类型的MOS器件，所述衬底上形成有栅介质层，所述栅介质层上形成有多晶硅层，所述第二区域的多晶硅层中形成有掺杂层； 进行第一刻蚀，直至目标区域的掺杂层被去除，在所述第一刻蚀过程中，通入的反应气体包括含氟气体，在所述第一刻蚀过程中，反应气体中含氟气体和含氯气体的刻蚀比大于1，所述含氟气体包括四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷、八氟环丁烷以及三氟化氮中的至少一种，所述含氯气体包括氯气； 进行第二刻蚀，直至目标区域的多晶硅层被去除，所述第一区域剩余的多晶硅层形成所述第一类型的MOS器件的栅极，所述第二区域剩余的掺杂层和多晶硅层形成所述第二类型的MOS器件的栅极，在所述第二刻蚀过程中，减少反应气体中的含氟气体，增加反应气体中的含氯气体，在所述第二刻蚀过程中，反应气体中含氟气体和含氯气体的刻蚀比由大于1减小为小于0.5。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。