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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210172823.7，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备是由王程刚设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1‑xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1‑yN阻挡层和p型GaN层，所述多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个所述周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层，其中，所述n型AlxGa1‑xN接触层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层中的Al组分不同。本发明通过在第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间生长多周期复合式调控层，减少第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间的晶格失配，调控紫外发光二极管外延片的翘曲，过滤第一AlN层向上延伸的位错，减小n型AlxGa1‑xN接触层的压应力，改善晶体质量，提升器件的发光效率。

本发明授权一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光二极管外延结构，其特征在于，包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1-xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1-yN阻挡层和p型GaN层，所述多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个所述周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1-mN层、AlnGa1-nN层和AlkGa1-kN层，其中，所述n型AlxGa1-xN接触层、AlmGa1-mN层、AlnGa1-nN层和AlkGa1-kN层中的Al组分不同； 所述n型AlxGa1-xN接触层、AlmGa1-mN层、AlnGa1-nN层和AlkGa1-kN层中的Al组分为：0＜n＜x＜k＜m＜1； 所述周期结构中，第二AlN层的厚度≤AlmGa1-mN层的厚度＜AlnGa1-nN层的厚度＜AlkGa1-kN层的厚度。

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