买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利光取出结构的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114398795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210066840.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权光取出结构的设计方法是由殷志远;陈黎暄;矫士博设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本光取出结构的设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了本发明提供一种光取出结构的设计方法，所述设计方法中包括以下步骤：构建所述光取出结构的模型；根据所述模型的结构拟定所需的数据以及光线的最大入射角θ1；通过建立所述最大入射角θ1与所述数据之间的关系式快速优化所述光取出结构的结构数据，从而节省设计成本。

本发明授权光取出结构的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种光取出结构的设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 构建所述光取出结构的模型； 根据所述模型的结构拟定所需的数据； 拟定光线的最大入射角θ1； 构建所述最大入射角θ1与所述数据之间的方程式； 基于所述方程式改变所述数据，从而获取最佳数据； 根据所述最佳数据构建所述光取出结构； 构建所述光取出结构的模型步骤中包括： 构建微结构层，所述微结构层的底面即为所述光取出结构的入光面； 在所述微结构层上构建折射层； 根据所述模型的结构拟定所需的数据步骤中包括： 根据所述微结构层的结构判断出位于所述微结构层上的第一折射面； 根据所述折射层的结构判断出位于所述折射层上的第二折射面； 根据所述微结构层和所述折射层的结构和材料拟定其结构数据； 分析所述光线依次经过所述第一折射面和所述第二折射面时所产生的折射数据； 根据所述微结构层和所述折射层的结构和材料拟定其结构数据步骤中包括： 根据所述微结构层的材料性质拟定所述微结构层的第一折射率n1； 根据所述折射层的材料性质拟定所述折射层的第二折射率n2； 根据所述微结构层的结构拟定所述第一折射面与所述底面之间的底角θ2； 分析所述光线依次经过所述第一折射面和所述第二折射面时所产生的折射数据步骤中包括： 根据折射定律拟定所述光线在所述第一折射面上的第一入射角θ3和第一出射角θ4； 根据折射定律拟定所述光线在所述第二折射面上的第二入射角θ5； 根据全反射现象拟定所述光线在所述第二折射面上的全反射角θ6； 所述构建所述最大入射角θ1与所述数据之间的方程式步骤中包括： 根据几何定理推导出有关所述最大入射角θ1的关系式A； 根据几何定理推导出有关所述第一入射角θ3的关系式C； 根据折射定律推导出有关所述第一出射角θ4的关系式D； 根据全反射现象推导出有关所述第二入射角θ5的关系式E； 联立所述关系式A、所述关系式C、所述关系式D以及所述关系式E，得到所述方程式； 所述关系式A为：θ1=θ4+θ5-θ3； 所述关系式C为：θ3=θ2-θ1； 所述关系式D为：θ4=arcsinθ3*n12； 所述关系式E为：θ5=arcsinn32； 所述方程式为： θ2=arcsinθ2-θ1*n12+arcsinn32； 其中，所述n3为空气的折射率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。