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龙图腾网恭喜湖南兴元科技股份有限公司申请的专利微波馈口位置优化方法、系统、微波炉及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114494592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210052424.7，技术领域涉及：G06T17/00；该发明授权微波馈口位置优化方法、系统、微波炉及存储介质是由张福兴;何瑞华设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本微波馈口位置优化方法、系统、微波炉及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及人工智能的商用微波技术领域，公开了一种微波馈口位置优化方法、系统、微波炉及存储介质，用于通过仿真模拟的方式得到两个微波馈口的最优位置，从而提升微波加热效率、也使微波的分布更加均匀，提高了微波炉的加热性能。所述方法包括：获取微波炉尺寸并构建微波炉三维模型；在微波炉三维模型上分别模拟设置两个相互垂直的微波馈口、并设置边界条件与激励条件；构建参数模型，对参数模型的三维坐标进行参数赋值、扫描与计算，得出不同参数条件下的微波评价系数；判断微波评价系数是否符合预设的最优条件；若符合预设的最优条件，则确定出两个微波馈口的最优相对位置参数；若不符合则迭代至符合上述预设的最优条件时停止。

本发明授权微波馈口位置优化方法、系统、微波炉及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种微波馈口位置优化方法，应用于微波炉，其特征在于，所述微波馈口位置优化方法包括： 获取微波炉尺寸，并基于所述微波炉尺寸构建微波炉三维模型； 在所述微波炉三维模型相互垂直的腔体内壁上分别模拟设置两个相互垂直的微波馈口、并为所述微波炉三维模型设置边界条件与激励条件； 基于设定的微波评价系数为所述两个微波馈口的相对位置参数构建参数模型，所述相对位置参数是两个微波馈口分别在所述微波炉三维模型中的三维坐标参数，所述微波评价系数为微波能量反射系数与电场均匀性评价系数； 对所述参数模型的三维坐标进行参数赋值、扫描与计算，得出不同参数条件下的微波评价系数； 判断所述微波评价系数是否符合预设的最优条件； 若所述微波评价系数符合所述预设的最优条件，则确定出所述两个微波馈口的最优相对位置参数； 若所述微波评价系数不符合所述预设的最优条件，则继续对所述参数模型的三维坐标进行参数赋值、扫描与计算，直至所述微波评价系数符合所述预设的最优条件； 其中，所述相互垂直的腔体内壁可以为微波炉的腔体顶端和腔体前端；所述微波能量反射系数为微波反射功率和入射功率之比；所述电场均匀性评价系数为电场的变异系数，即电场标准差和电场平均值之比；所述预设的最优条件为所述微波能量反射系数的最优阈值范围、以及所述电场均匀性评价系数的最优阈值范围。

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