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龙图腾网恭喜深圳镓芯半导体科技有限公司申请的专利第三代半导体接触窗结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210042890.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权第三代半导体接触窗结构及其制造方法是由陈正培;徐文凯;柴佳欣设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本第三代半导体接触窗结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种第三代半导体接触窗结构及其制造方法。所述制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上淀积一化合物外延层；通过蒸镀金属工艺在所述化合物外延层上淀积一第一金属层；在所述化合物外延层和所述第一金属层上淀积一隔绝层；在位于所述第一金属层上方的隔绝层上对应设置通孔并贯穿于所述隔绝层，其中，所述通孔的内壁为倾斜弧面；通过蒸镀金属工艺在所述隔绝层和所述通孔上淀积一第二金属层。有效防止金属溅镀工艺对化合物外延层表面的晶格结构破坏与杂质离子污染，并降低第三代半导体接触窗结构的接触阻抗。

本发明授权第三代半导体接触窗结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种第三代半导体接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供一衬底，在所述衬底上淀积一化合物外延层； 通过蒸镀金属工艺在所述化合物外延层上淀积一第一金属层； 在所述化合物外延层和所述第一金属层上淀积一隔绝层； 在位于所述第一金属层上方的隔绝层上对应设置通孔并贯穿于所述隔绝层，其中，所述通孔的内壁为倾斜弧面； 通过蒸镀金属工艺在所述隔绝层和所述通孔上淀积一第二金属层； 其中，所述通过蒸镀金属工艺在所述化合物外延层上淀积一第一金属层包括： 在所述化合物外延层上形成一阻挡层，其中，所述阻挡层中设有间隔排布的多个显影区和多个阻挡区，位于所述阻挡区的所述阻挡层的侧壁与所述化合物外延层的夹角角度小于90； 通过蒸镀金属工艺在所述阻挡层上依次淀积金、锗和镍，以在所述显影区内形成第一金属层； 所述在所述化合物外延层上形成一阻挡层包括： 在所述化合物外延层上涂覆一光刻胶，形成光刻胶层； 在所述光刻胶层上方设置预设光刻掩膜，并透过所述预设光刻掩膜对所述光刻胶层进行曝光，以在所述光刻胶层中形成间隔排布的多个掩膜区和多个第一曝光区，其中，位于所述第一曝光区内的所述光刻胶层的侧壁与所述化合物外延层的夹角角度为大于90°； 对所述掩膜区和所述第一曝光区进行氨气烘烤和曝光，使所述掩膜区形成第二曝光区，使所述第一曝光区形成非曝光区； 对所述光刻胶层进行显影，以溶解位于所述第二曝光区的所述光刻胶层，形成阻挡层。

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