恭喜华东师范大学田博博获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华东师范大学申请的专利一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111090073.0，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法是由田博博;冯光迪;朱秋香;褚君浩;段纯刚设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法，其特点是在铁电层上下制备不同功函数的电极，然后用氩气或者氧气刻蚀掉多余的铁电薄膜，并最后在上下电极之间制作半导体沟道，所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等一组功函数相差较大导体；所述铁电层为有机铁电和陶瓷铁电等；所述半导体为N型或者P型半导体。本发明与现有技术相比具有良好的整流和阻变特性，具有耐疲劳、保持性好、高密度等优点，制备方法和操作步骤简单，成本低，易于实施，且安全、环保，较好解决了铁电隧道结较差的疲劳性、铁电随机存储器的破坏性读取，以及三端器件复杂的工艺和集成密度低等严重的问题，可广泛用于内存计算的可编程应用。
本发明授权一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器，其特征在于，铁电层位于上、下电极之间，并在两电极之间制作N型或P型的半导体沟道，形成通过铁电局域场调控的垂直结构的铁电场效应二极管为可编程的两端铁电存储器，所述电极采用铂、铝、金、银、铜、铝金属材料或铟锡氧化物材料，且上、下电极为一组导体；所述铁电层为有机铁电层或陶瓷铁电层；所述半导体为ZnO、IGZO、CuI及有机物半导体材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华东师范大学，其通讯地址为：200241 上海市闵行区东川路500号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号