恭喜爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110413113.4，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体装置是由李南宰设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置。一种半导体装置包括：基板，该基板具有单元区域和芯片保护区域，芯片保护区域围绕单元区域；第一芯片保护件，该第一芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸；第二芯片保护件，该第二芯片保护件沿第一方向在芯片保护区域上延伸，第二芯片保护件与第一芯片保护件间隔开；以及第三芯片保护件，该第三芯片保护件沿第二方向在芯片保护区域上延伸，第二方向与第一方向相交。第一芯片保护件包括第一端部，第二芯片保护件包括第二端部，并且第三芯片保护件包括设置在第一端部和第二端部之间的第三端部。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 基板，所述基板具有单元区域和芯片保护区域，所述芯片保护区域围绕所述单元区域； 多个芯片保护件，所述多个芯片保护件在所述芯片保护区域上，所述多个芯片保护件在第一方向上延伸，在与所述第一方向相交的第二方向上彼此间隔开，并且所述多个芯片保护件包括在所述第二方向上彼此相邻布置的第一芯片保护件和第二芯片保护件；以及 第三芯片保护件，所述第三芯片保护件沿所述第二方向在所述芯片保护区域上延伸，所述第二方向与所述第一方向相交， 其中，所述第一芯片保护件包括第一端部， 其中，所述第二芯片保护件包括第二端部， 其中，所述第三芯片保护件包括在所述第一方向和所述第二方向两者上均设置在所述第一端部和所述第二端部之间的第三端部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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