恭喜无锡韦尔半导体有限公司万蔡辛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜无锡韦尔半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112897457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110377967.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由万蔡辛;何政达;赵成龙;蒋樱设计研发完成，并于2021-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的半导体器件的制造方法包括在衬底上依次形成牺牲层和结构层；以及在所述牺牲层的侧壁上形成金属层，其中，所述牺牲层和所述结构层上形成有台阶结构；通过溅射生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层。根据本发明实施例的半导体器件及其制造方法，采用金属层保护不希望去除的牺牲层，金属层的覆盖性和致密性好，保护效果好。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成牺牲层和结构层； 在形成所述牺牲层和所述结构层后，在所述结构层上形成绝缘层；以及 在所述牺牲层的侧壁上形成金属层， 其中，所述牺牲层和所述结构层上、以及所述绝缘层边缘处形成有台阶结构； 通过溅射生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层， 其中，所述金属层包括： 金属层主体，覆盖于所述牺牲层的侧壁，用于保护所述牺牲层；以及 金属层延长部，分别与所述金属层主体和所述衬底相连接，用于隔绝释放过程中的药液。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡韦尔半导体有限公司，其通讯地址为：江苏省无锡市新区区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号