恭喜住友电工光电子器件创新株式会社羽中田忠浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110332137.7，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底是由羽中田忠浩设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底在说明书摘要公布了：本发明涉及制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底，所述方法包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与形成有第一半导体层的表面相对的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压该衬底，将该衬底、该第一半导体层以及该第二半导体层分成多片。
本发明授权用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜； 在所述绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成第二半导体层；以及 通过在所述衬底的与其上形成有所述第一半导体层的表面相反的表面上、在与用作所述划线的所述区域相对应的位置处按压所述衬底，从而将所述衬底、所述第一半导体层以及所述第二半导体层分成多片, 在形成所述第一半导体层之前，使用所述绝缘膜作为掩膜来蚀刻所述衬底，以形成台面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电工光电子器件创新株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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