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龙图腾网恭喜福建华佳彩有限公司申请的专利一种GIP补偿电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113160766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110234726.1，技术领域涉及：G09G3/36；该发明授权一种GIP补偿电路及其控制方法是由刘振东;阮桑桑;刘汉龙;郭智宇;钟慧萍;郑聪秀设计研发完成，并于2021-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GIP补偿电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及GIP补偿电路技术领域，特别涉及一种GIP补偿电路及其控制方法，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、电容C1、电容C2和电容C3，晶体管T5的栅极分别与晶体管T8的漏极、晶体管T9的栅极、晶体管T7的漏极和电容C3的一端电连接，晶体管T8的源极与晶体管T9的漏极电连接，晶体管T7的栅极与晶体管T7的源极电连接，晶体管T8的栅极接第二栅极走线，这样使得可以利用GIP补偿电路中的晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9和电容C3组成的Vth补偿部分，从而解决GIP补偿电路中某些TFT的Vth偏移而造成电路的失效问题。

本发明授权一种GIP补偿电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种GIP补偿电路，其特征在于，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、电容C1、电容C2和电容C3，所述晶体管T1的源极分别与晶体管T2的栅极、晶体管T6的源极、晶体管T3的漏极、电容C2的一端和晶体管T4的栅极电连接，所述晶体管T2的漏极分别与晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，所述晶体管T2的源极分别与晶体管T3的源极、晶体管T9的源极和晶体管T5的源极电连接，所述晶体管T4的源极分别与电容C2的另一端和晶体管T5的漏极电连接，所述晶体管T5的栅极分别与晶体管T8的漏极、晶体管T9的栅极、晶体管T7的漏极和电容C3的一端电连接，所述晶体管T8的源极与晶体管T9的漏极电连接，所述晶体管T7的栅极与晶体管T7的源极电连接且晶体管T7的栅极和晶体管T7的源极均接第一栅极走线，所述晶体管T8的栅极接第二栅极走线，所述晶体管T1的栅极接第三栅极走线，所述晶体管T6的栅极接第四栅极走线； 所述电容C1的另一端和晶体管T4的漏极均接第一时钟信号，所述电容C3的另一端接第二时钟信号； 所述晶体管T1的漏极接电源的正极； 所述晶体管T6的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的源极、晶体管T9的源极和晶体管T5的源极均接电源的负极； 所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8和晶体管T9均为N沟道MOS管。

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