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龙图腾网恭喜SOITEC公司申请的专利用于制造包括位于由SiC制成的载体衬底上的由单晶SiC制成的薄层的复合结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180014912.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权用于制造包括位于由SiC制成的载体衬底上的由单晶SiC制成的薄层的复合结构的方法是由H·比亚尔;I·拉杜;D·兰德鲁设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造包括位于由SiC制成的载体衬底上的由单晶SiC制成的薄层的复合结构的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于制造包括布置在由碳化硅制成的载体衬底上的由单晶碳化硅制成的薄层的复合结构的方法，所述方法包括：提供由单晶SiC制成的供体衬底的步骤a，所述供体衬底包括通过在初始衬底上进行外延生长而产生的供体层，所述供体层展现出低于初始衬底的晶体缺陷密度的晶体缺陷密度，将轻物种离子注入供体层的步骤b，以形成掩埋脆弱平面，从而在所述掩埋脆弱平面与所述供体层的自由表面之间界定薄层，依次形成n个载体层的步骤c，其中，n大于或等于2；n个载体层彼此依次布置在供体层上，并且形成载体衬底；每个形成步骤包括在介于400℃和1100℃之间的温度下的化学气相沉积，以形成由多晶SiC制成的载体层；在n个不同的温度下执行n次化学气相沉积，沿着掩埋脆弱平面分离的步骤d，一方面为了形成包括载体衬底上的薄层的复合结构，另一方面为了形成供体衬底的剩余部分，对复合结构进行机械处理和或化学处理的步骤e。

本发明授权用于制造包括位于由SiC制成的载体衬底上的由单晶SiC制成的薄层的复合结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造包括布置在由碳化硅制成的载体衬底20上的由单晶碳化硅制成的薄层10的复合结构1的方法，所述方法包括： 提供由单晶碳化硅制成的供体衬底111的步骤a，所述供体衬底111包括通过在初始衬底11上进行外延生长而产生的供体层110，所述供体层110展现出低于初始衬底11的晶体缺陷密度的晶体缺陷密度， 将轻实体离子注入供体层110的步骤b，以形成掩埋脆弱平面12，从而在所述掩埋脆弱平面12与所述供体层110的自由表面之间界定薄层10， 依次形成n个载体层20'的步骤c，其中，n大于或等于2；n个载体层20'彼此依次布置在供体层110上，并且形成载体衬底20；每个形成步骤包括在介于400℃和1100℃之间的温度下的化学气相沉积，以形成由多晶碳化硅制成的载体层20'；在n个不同的温度下执行n次化学气相沉积， 沿着掩埋脆弱平面12分离的步骤d，一方面为了形成包括载体衬底20上的薄层10的复合结构1，另一方面为了形成供体衬底的剩余部分111'， 对复合结构1进行机械处理和或化学处理的步骤e，以使薄层10的自由表面10a平滑和或以校正复合结构1的厚度的均匀性。

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