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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像装置及其制造方法和电子装备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076029.1，技术领域涉及：H04N23/00；该发明授权摄像装置及其制造方法和电子装备是由吉本奈绪;宫波勇树;池原成拓设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本摄像装置及其制造方法和电子装备在说明书摘要公布了：[技术问题]为了抑制噪声、混色等。[技术方案]摄像设置有：半导体基板；光电转换单元，设置在半导体基板上并通过光电转换产生对应于受光量的电荷；电荷保持单元，设置在与光电转换单元相关的半导体基板的第一表面侧，并保持从光电转换单元传输的电荷；电荷传输单元，将电荷从光电转换单元传输到电荷保持单元；垂直电极，用于将光电转换单元产生的电荷传输到电荷传输单元，垂直电极设置在半导体基板的深度方向上；以及第一光控制件，设置在比垂直电极更靠近与半导体基板的第一表面相反的第二表面的一侧，在从第一表面的法线方向俯视半导体基板时，第一光控制部设置在与垂直电极重叠的位置，并在基板的深度方向具有T形截面。第一光控制件包括为一体结构且在相互交叉的方向上延伸的第一光控制部和第二光控制部。

本发明授权摄像装置及其制造方法和电子装备在权利要求书中公布了：1.一种摄像装置，所述摄像装置包括： 半导体基板； 光电转换单元，所述光电转换单元设置在所述半导体基板上并通过光电转换根据受光量产生电荷； 电荷保持单元，所述电荷保持单元设置在比所述光电转换单元更靠近所述半导体基板的第一表面的一侧并保持从所述光电转换单元传输的所述电荷； 电荷传输单元，所述电荷传输单元将所述电荷从所述光电转换单元传输到所述电荷保持单元； 垂直电极，所述垂直电极将所述光电转换单元产生的电荷传输到所述电荷传输单元并设置在所述半导体基板的深度方向上； 第一光控制件，所述第一光控制件设置在所述光电转换单元内，并且设置在比所述垂直电极更靠近与所述半导体基板的所述第一表面相反的一侧的第二表面的一侧；以及 第二光控制件，所述第二光控制件设置在比所述第一光控制件更靠近所述半导体基板的所述第一表面的一侧并且围绕所述电荷保持单元设置， 其中， 所述第一光控制件包括以一体结构在相互交叉的方向上延伸的第一光控制部和第二光控制部， 所述第一光控制部设置在从所述第一表面的法线方向俯视所述半导体基板时与所述垂直电极重叠的位置，并且 所述第二光控制部包括与所述第一光控制部连接的一端部和从所述一端部沿所述半导体基板的所述深度方向设置的另一端部。

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