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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种芯片、信号位移电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113508528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980093562.6，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种芯片、信号位移电路及电子设备是由蒋其梦;彭兴强;孙程豪设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片、信号位移电路及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片及信号位移电路，应用于充电器或适配器等移动终端上，该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片，以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接，第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路，氮化镓电路耐高压，第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI，并将HI传递到氮化镓电路；氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB，并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏，从而降低了芯片的成本。

本发明授权一种芯片、信号位移电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，所述芯片与控制器连接，所述芯片包括： 第一硅基驱动裸片、第二硅基驱动裸片、第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，其中，所述第一硅基驱动裸片与所述第一氮化镓裸片连接，所述第二硅基驱动裸片与所述第二氮化镓裸片连接，所述第一氮化镓裸片与所述第二硅基驱动裸片连接； 所述第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，所述第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，所述第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路和低侧氮化镓功率管，所述氮化镓电路耐高压，所述第二氮化镓裸片上集成有高侧氮化镓功率管； 所述第一硅基驱动裸片与所述控制器的第一输出端和第二输出端连接，所述第一输出端输出的脉冲信号用于驱动所述高侧氮化镓功率管，所述第二输出端输出的脉冲信号用于驱动所述低侧氮化镓功率管； 所述第一硅基电路与所述氮化镓电路连接，所述氮化镓电路与所述第二硅基电路连接； 所述第一硅基电路接收所述第一输出端输出的脉冲信号，并将所述脉冲信号传递到所述氮化镓电路； 所述氮化镓电路用于分担所述第二硅基电路的输入电压VB； 所述氮化镓电路将所述脉冲信号传递到所述第二硅基电路； 所述第一硅基驱动裸片、所述第二硅基驱动裸片、所述第一氮化镓裸片和所述第二氮化镓裸片采用合封的方式封装； 所述第一硅基电路包括第一低压MOS管，所述氮化镓电路包括第一高压MOS管，所述第一低压MOS管的漏极与所述第一高压MOS管的源极连接； 所述第一低压MOS管在所述脉冲信号的上升沿信号作用下导通并通过第一电流，所述第一电流为从所述第二硅基电路流向所述第一高压MOS管，并从所述第一高压MOS管的源极流向所述第一低压MOS管的漏极，并从所述第一低压MOS管的源极流向地； 所述第一高压MOS管所分担的第一电压为所述第一电流与所述第一高压MOS管的内阻的乘积。

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