恭喜福建省晋华集成电路有限公司王建芳获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910662928.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由王建芳;郭鹏;李宝玉;王远保设计研发完成，并于2019-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器。通过将节点接触部进一步延伸至衬底中，以和有源区电性连接，从而增加了节点接触部和有源区之间的接触面积，并使得节点接触部可以和高离子浓度的区域实现电性连接，基于此，即使在节点接触部中形成有空隙，仍能够维持节点接触部的连接性能。而针对允许有空隙的节点接触部而言，其制作难度更大、制备过程更快，相应的可以有效提升存储器的产能。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区包括第一源漏区和第二源漏区； 多条位线结构，形成在所述衬底上，并利用相邻的位线结构界定出节点接触窗，所述节点接触窗的底部还延伸至所述衬底中，并暴露有至少部分有源区，所述位线结构包括依次形成在所述衬底上的第一导电层、第二导电层和第三导电层；以及， 多个节点接触部，填充在所述节点接触窗中并和所述有源区电性连接，以及所述节点接触部中形成有至少一个空隙，所述至少一个空隙包括第一空隙，并且所述第一空隙的顶部不低于邻近的任一位线结构的底部，所述第一空隙的顶部介于相邻的位线结构中两个第一导电层相互正对的区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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