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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利固态成像装置、电子设备和制造固态成像装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112313799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980041851.1，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权固态成像装置、电子设备和制造固态成像装置的方法是由五十岚浩一设计研发完成，并于2019-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本固态成像装置、电子设备和制造固态成像装置的方法在说明书摘要公布了：在包括封装结构的配置中，本发明防止由于回流时腔体的内部压力增加等而导致的损坏，例如，组件元件开裂和元件之间的剥离，封装结构在固态成像元件2和盖元件3之间具有腔体5。固态成像装置1包括：固态成像元件，包括半导体基板6并且将半导体基板的一个板表面侧作为光接收侧2a；透光盖元件，设置在固态成像元件的光接收侧上距固态成像元件的预定距离处；以及支撑部4，设置在固态成像元件的光接收侧上，相对于固态成像元件支撑盖元件，并且在固态成像元件和盖元件之间形成腔体，其中，半导体基板具有形成在其另一板表面侧2b上的凹部20并且部分地减小半导体基板的厚度。

本发明授权固态成像装置、电子设备和制造固态成像装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种固态成像装置，包括： 固态成像元件，包括半导体基板，并且所述固态成像元件的光接收侧是所述半导体基板的一个板表面侧； 透光盖元件，在所述固态成像元件的所述光接收侧上设置为与所述固态成像元件以特定间隔隔开；以及 支撑件，设置在所述固态成像元件的所述光接收侧上，并且支撑所述固态成像元件上的所述盖元件，以在所述固态成像元件和所述盖元件之间形成腔体，所述半导体基板包括形成在所述半导体基板的另一板表面上的凹部，所述半导体基板的厚度由于所述凹部的形成而部分减小； 所述凹部具有随着所述腔体的内部压力的增加而向外弯曲的薄板部分； 填充树脂部，由热塑性树脂制成，并且所述填充树脂部被设置为填充到所述凹部中，其中，所述填充树脂部的底面与所述半导体基板的所述另一板表面齐平、具有与形成所述凹部的底面部和侧面部的表面形状一致的外部形状，所述填充树脂部随着所述半导体基板而变形； 多个焊料部，以阵列设置在所述填充树脂部的底面侧并用于安装所述固态成像元件，而不是在所述半导体基板的另一板表面的所述凹部的外围部分设置所述多个焊料部； 在为熔化所述焊料部而进行回流时，在特定峰值温度下所述腔体的内部压力小于导致形成所述腔体的元件开裂或形成所述腔体的粘结元件脱落的内部压力； 其中，形成所述凹部包括： 执行第一蚀刻，包括通过使用干法蚀刻从所述半导体基板去除对应于所述凹部的部分来形成具有预定蚀刻深度的具有方形形状的半凹部，所述半凹部的深度根据所述凹部的侧面部的期望形状确定，以及 执行第二蚀刻，包括在所述第一蚀刻之后通过使用各向异性蚀刻向下蚀刻所述半凹部来形成所述凹部，其中，通过将形成所述半凹部的晶片浸泡在强碱溶液中并且在旋转和摆动所述晶片使得在晶片表面上均匀地进行蚀刻的同时，进行具体时间段的蚀刻，从所述半凹部的底部开始向内倾斜蚀刻以形成具有特定倾斜角度的第一倾斜面和第二倾斜面，使得所述凹部的形状和尺寸被控制。

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