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恭喜济南大学杨长红获国家专利权

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龙图腾网恭喜济南大学申请的专利一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110395768B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811256131.0,技术领域涉及:C01G49/00;该发明授权一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法是由杨长红;韩亚洁;钱进;吕盼盼;陈乐欣;林秀娟;黄世峰设计研发完成,并于2018-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于微电子新材料技术领域,具体涉及一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法。该方法以耐高温的柔性云母作为衬底材料,金属薄膜或氧化物薄膜作为底电极材料,对底电极进行预处理后生长铁酸铋基薄膜。本发明首次在柔性衬底上直接高温生长具有自极化效应的铁酸铋基薄膜,其化学组成为BiFe1‑x‑yMnxTiyO3,其中0<x≤0.05,0<y≤0.05。本发明工艺简单有效,所制备的铁酸铋基薄膜耐弯折、电极化特性优越、电荷保持力强、抗疲劳性能好,且无需人工极化就表现出良好的压电性能,在柔性铁电存储、柔性压电传感等技术领域中具有很大的应用潜力。

本发明授权一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法,铁酸铋基薄膜的分子式为BiFe1-x- yMnxTiyO3,其中0<x≤0.05,0<y≤0.05,其特征在于,包括以下步骤:以耐高温的柔性云母作为衬底材料,Pt、SrRuO3或LaNiO3薄膜为底电极材料,对底电极进行预处理后生长铁酸铋基薄膜;在预处理后的底电极上生长铁酸铋基薄膜的过程为:制备BiFe1-x-yMnxTiyO3前驱体溶液,采用旋涂法将前驱体溶液沉积在预处理后的底电极上,然后将材料烘干,退火,重复“旋涂-烘干-热处理”的过程,直到薄膜厚度为300~800nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人济南大学,其通讯地址为:250000 山东省济南市市中区南辛庄西路336号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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