恭喜硅存储技术公司H.V.特兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜硅存储技术公司申请的专利用于闪存存储器系统的低功率操作获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210427606.8，技术领域涉及：G11C16/28；该发明授权用于闪存存储器系统的低功率操作是由H.V.特兰;A.莱伊;T.吴;H.Q.阮;V.T.阮设计研发完成，并于2016-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于闪存存储器系统的低功率操作在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于闪存存储器系统中的低功率操作的电路和方法。在选择解码电路路径的所公开实施方案中，在省电或关闭模式期间使用上拉电路和下拉电路在某些输出节点处保存值，从而允许主电源关闭，同时仍然保持所述值。
本发明授权用于闪存存储器系统的低功率操作在权利要求书中公布了：1.一种生成基准电流的方法，包括： 在采样周期期间接通第一开关1402、1502、第二开关1405、1505、NMOS晶体管1403、1503、第一PMOS晶体管1401、1501和第二PMOS晶体管1407、1508，以将由基准元件1404、1504生成的偏置电压采样到耦合到电容器1406、1506的节点1410、1510中，其中所述第一PMOS晶体管包括耦合到电源的第一端子、栅极、和耦合到所述栅极的第二端子；所述NMOS晶体管包括通过所述第一开关而耦合到所述第一PMOS晶体管的第二端子的第一端子、栅极、和耦合到所述基准元件的第二端子；所述电容器包括耦合到所述电源的第一端子和通过所述第二开关而耦合到所述第一PMOS晶体管的第二端子的第二端子；并且所述第二PMOS晶体管包括耦合到所述电源的第一端子、耦合到所述节点的栅极、和第二端子； 在基准保持周期期间关断所述第一开关和所述第二开关，其中所述第二PMOS晶体管的第二端子响应于由所述电容器在所述节点处保持的偏置电压而提供基准电流iref， 其中所述基准元件是存储器单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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