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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触电池的制造方法及其背接触电池和电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510479924.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触电池的制造方法及其背接触电池和电池组件是由林楷睿设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池的制造方法及其背接触电池和电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池的制造方法及其背接触电池和电池组件，包括如下步骤：S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S3、在S2所得背面进行第一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、通过制绒清洗；S5、在硅片正面依次形成钝化层、减反层，减反层包含掺碳氮化硅；S6、然后进行退火氧化，以至少对部分减反层进行氧化；S7、去除背面绕镀层，之后采用含HF溶液来清洗第二半导体开口区；含HF溶液中HF的质量浓度降低为0.1%‑2%；S8、在背面沉积第二半导体层。本发明能够保证电池制程的稳定性，降低溶液成本；同时有利于提高第二半导体层的钝化效果，提升电池效率。

本发明授权一种背接触电池的制造方法及其背接触电池和电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层； S3、在S2所得背面进行第一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区； S4、通过制绒清洗，至少在第二半导体开口区上形成绒面，之后进行或不进行去除掩膜层的步骤； S5、在硅片正面依次形成钝化层、减反层，减反层包含掺碳氮化硅；S5中减反层还包含在钝化层和掺碳氮化硅之间设置的内膜层，内膜层选自氮化硅和或氮氧化硅； S6、然后进行退火氧化，以至少对部分减反层进行氧化，退火氧化过程中控制减反层所含的掺碳氮化硅的被氧化部分的厚度D1为该掺碳氮化硅总厚度D0的10%-60%；S6中所述退火氧化的条件包括：退火温度为700-950℃，退火的压力为100-800mbar，退火时间为15-80min； S7、去除背面绕镀层，之后采用含HF溶液来清洗第二半导体开口区；含HF溶液中HF的质量浓度降低为0.1%-2%； S8、在背面沉积第二半导体层。

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