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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119917990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510425980.8，技术领域涉及：G06F18/2433；该发明授权面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法是由谢刚;刘斌凯;林宇航设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法。所述方法包括：获取栅极氧化层沉积参数，生成模拟栅极氧化层，进行一次异常预测，获得一次异常概率；获取栅极金属沉积参数，结合模拟栅极氧化层进行二次异常预测，获得二次异常概率；获取源漏掺杂参数，根据二次异常概率配置掺杂比例，预测掺杂异常概率；根据一次、二次及掺杂异常概率计算预测异常概率，作为自对准工艺预测结果。本申请解决了碳化硅高压MOSFET在自对准工艺中由于多工艺步骤的复杂性而导致异常难以预测和控制的技术问题，实现了通过多步骤联合异常预测方法，提高工艺异常识别的准确性和预测能力，从而优化制造质量与器件性能的效果。

本发明授权面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法在权利要求书中公布了：1.面向碳化硅高压MOSFET的自对准工艺异常预测方法，其特征在于，所述方法包括： 在采用自对准工艺制造碳化硅高压MOSFET过程中，获取栅极氧化层的沉积参数，进行栅极氧化层的模拟生成，获得模拟栅极氧化层，进行一次异常预测，获得一次异常概率； 获取栅极金属层沉积的沉积参数，结合所述模拟栅极氧化层，进行二次异常预测，获得二次异常概率； 获取源极和漏极进行自对准掺杂的掺杂参数，根据所述二次异常概率，配置获得掺杂异常预测比例，根据所述掺杂参数进行集成掺杂异常概率预测，获得掺杂异常概率； 根据所述一次异常概率、二次异常概率和掺杂异常概率，计算获得预测异常概率，作为自对准工艺异常预测结果； 其中，进行一次异常预测，获得一次异常概率，包括： 根据所述模拟栅极氧化层内厚度分布，计算获得栅极氧化层厚度方差； 基于历史时间内的栅极氧化层沉积数据，采集样本栅极氧化层厚度方差集合，并根据不同样本栅极氧化层厚度方差下碳化硅高压MOSFET出现异常的比例，标识获得样本一次异常概率集合； 采用所述样本栅极氧化层厚度方差集合和样本一次异常概率集合，构建一次变异分类器； 将所述栅极氧化层厚度方差输入所述一次变异分类器，分类预测获得一次异常概率； 其中，获取源极和漏极进行自对准掺杂的掺杂参数，根据所述二次异常概率，配置获得掺杂异常预测比例，根据所述掺杂参数进行集成掺杂异常概率预测，获得掺杂异常概率，包括： 获取源极和漏极进行自对准掺杂的掺杂参数，获得掺杂参数； 将所述二次异常概率配置为掺杂异常预测比例； 基于集成学习，训练包括分支数量的掺杂异常预测分支的掺杂异常预测通道； 采用所述掺杂异常预测比例乘以所述分支数量并取整，获得掺杂分析数量； 将所述掺杂参数分别输入随机选择的所述掺杂分析数量的掺杂异常预测分支内，预测获得掺杂分析数量的预测掺杂异常概率，计算均值获得掺杂异常概率。

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