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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119940262B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510425977.6，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统是由谢刚;刘斌凯;林宇航设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统，涉及半导体技术领域，该方法包括：建立碳化硅高压MOSFET的三维模型，获取MOSFET器件模型；构建掺杂优化模块；进行电场分布和热场分布仿真，获取漂移区的电场集中区域和热场集中区域；引入梯度掺杂，输出第一掺杂优化分布；引入梯度掺杂，输出第二掺杂优化分布；在所述漂移区进行协同优化。本发明解决了现有技术中碳化硅高压MOSFET技术中漂移区电场和热场分布欠佳，致使器件性能、稳定性与可靠性不足的技术问题，达到了实现对碳化硅高压MOSFET漂移区电场和热场分布的优化，提升器件性能、稳定性与可靠性的技术效果。

本发明授权碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法，其特征在于，所述方法包括： 建立碳化硅高压MOSFET的三维模型，获取MOSFET器件模型； 构建掺杂优化模块，根据所述掺杂优化模块录入初始化掺杂分布； 基于TCAD工具按照所述初始化掺杂分布对所述MOSFET器件模型进行电场分布和热场分布仿真，获取所述MOSFET器件模型中漂移区的电场集中区域和热场集中区域； 所述掺杂优化模块在所述电场集中区域引入梯度掺杂，输出第一掺杂优化分布； 所述掺杂优化模块在所述热场集中区域引入梯度掺杂，输出第二掺杂优化分布； 根据所述第一掺杂优化分布和所述第二掺杂优化分布在所述漂移区进行协同优化； 录入初始化掺杂分布包括： 定义掺杂浓度范围和掺杂分布公式，所述掺杂分布公式为指数衰减模型，表达式如下：其中，为位置x的掺杂浓度，x为漂移区长度方向的任一空间位置坐标，为所述掺杂浓度范围的最大掺杂浓度，位于靠近所述MOSFET器件模型中源极的一侧，为影响掺杂浓度的衰减速率，用于描述掺杂浓度随距离x呈指数衰减的趋势； 根据所述掺杂浓度范围和掺杂分布公式进行均匀掺杂，获取初始化掺杂分布； 所述掺杂优化模块在所述电场集中区域引入梯度掺杂，输出第一掺杂优化分布，方法包括： 获取第一初始掺杂浓度和第一梯度宽度； 调用所述掺杂分布公式，所述掺杂优化模块按照所述第一初始掺杂浓度和所述第一梯度宽度对所述电场集中区域进行线性梯度掺杂，识别所述电场集中区域的电场强度； 若所述电场集中区域的电场强度的分布均匀性小于预设均匀性，以所述预设均匀性为优化目标进行迭代仿真，输出第一优化初始掺杂浓度和第一优化梯度宽度； 根据所述第一优化初始掺杂浓度和第一优化梯度宽度，输出第一掺杂优化分布； 所述掺杂优化模块在所述热场集中区域引入梯度掺杂，输出第二掺杂优化分布，方法包括： 获取第二初始掺杂浓度和第二梯度宽度； 调用所述掺杂分布公式，所述掺杂优化模块按照所述第二初始掺杂浓度和所述第二梯度宽度对所述热场集中区域进行线性梯度掺杂，识别所述热场集中区域的温升指标； 若所述热场集中区域的温升指标小于预设温升指标，以所述预设温升指标为优化目标进行迭代仿真，输出第二优化初始掺杂浓度和第二优化梯度宽度； 根据所述第二优化初始掺杂浓度和第二优化梯度宽度，输出第二掺杂优化分布。

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