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龙图腾网恭喜合肥工业大学申请的专利一种偏压调控的MoS₂/PbS异质结光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510304686.1，技术领域涉及：H10F30/22；该发明授权一种偏压调控的MoS₂/PbS异质结光电器件是由张彦;刘雨杭;许俊;陈俊伟设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偏压调控的MoS₂/PbS异质结光电器件在说明书摘要公布了：本发明属于光电器件技术领域，公开了一种偏压调控的MoS2PbS异质结光电器件，是以FTO玻璃为导电基底，在FTO玻璃表面依次生长有MoS2薄膜和PbS薄膜，且PbS薄膜对MoS2形成三维骨架包覆型结构，在PbS薄膜和FTO玻璃上沉积有两个Ag电极。本发明的光电器件一体化实现了神经形态光电突触和宽带光电探测两种性能：该器件的突触特性来自于界面缺陷的调制，实现了光调节的短长期记忆转换（STMLTM）和重复学习与遗忘等高级突触功能；而该器件优异的探测性能来自于异质界面载流子的快速分离。本发明的光电器件制备工艺简单，大面积的薄膜可以适用于工业生产，拓展了在模拟人体视觉神经记忆和紫外至短波红外波段探测领域的发展。

本发明授权一种偏压调控的MoS₂/PbS异质结光电器件在权利要求书中公布了：1.一种偏压调控的MoS2PbS异质结光电器件，其特征在于，为垂直结构两端器件，是以FTO玻璃为导电基底，在FTO玻璃表面通过水热法生长有纳米花球形貌的MoS2薄膜，在所述MoS2薄膜上通过水浴法生长有PbS薄膜，且PbS薄膜对MoS2形成三维骨架包覆型结构；在所述PbS薄膜上设置有第一Ag电极，在所述FTO玻璃上未生长MoS2薄膜和PbS薄膜的区域设置有第二Ag电极；通过调节施加在两个Ag电极上的偏压大小，并照射紫外至短波红外波段的光，调控所述MoS2PbS异质结光电器件的光电特性：在0V偏压下，所述MoS2PbS异质结光电器件实现宽带光电探测；随着偏压的增大，所述MoS2PbS异质结光电器件的光电突触性能逐渐增强。

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