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龙图腾网恭喜嘉善复旦研究院申请的专利半导体器件、半导体封装和半导体封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510258826.6，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件、半导体封装和半导体封装方法是由朱宝;徐雯龙;丁士进;张柏诚;吴洋洋;张立龙;余念文;张卫设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、半导体封装和半导体封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装领域，提供一种半导体器件、半导体封装和半导体封装方法，该半导体器件应用于半导体封装，包括：堆叠设置的若干半导体芯片，其中，当前半导体芯片堆叠在下层半导体芯片上；当前半导体芯片的衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面用于提供互连层的附着表面；第二表面用于抵接下层半导体芯片顶端的互连层。该结构用于减少层间缝隙、层高波动从而减少填充间隙工艺步骤，确保封装后不会短路，以确保器件的性能。相比硅通孔工艺，无需精准的刻蚀硅片内部结构，降低了半导体器件堆叠的工艺难度。

本发明授权半导体器件、半导体封装和半导体封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，应用于半导体封装内部，其特征在于，包括： 堆叠设置的若干半导体芯片，其中，当前半导体芯片堆叠在下层半导体芯片上； 每片半导体芯片均具有N层互连层、若干绝缘层和一衬底，N为大于2的正整数； 所述互连层用于提供导电的第一区域和第二区域；第一区域和第二区域被刻蚀槽分隔； 沿堆叠方向，所述N层互连层包括奇数位第一互连层、偶数位第一互连层、奇数位第二互连层和偶数位第二互连层；每片半导体芯片中的所述互连层具有相对的第一边缘和第二边缘； 所述奇数位第一互连层设有奇数位第一互连层刻蚀槽，所述偶数位第一互连层设有偶数位第一互连层刻蚀槽；所述奇数位第一互连层刻蚀槽与偶数位第一互连层刻蚀槽在堆叠方向上的轮廓互不相交； 所述奇数位第二互连层设有奇数位第二互连层刻蚀槽，所述偶数位第二互连层设有偶数位第二互连层刻蚀槽；所述奇数位第二互连层刻蚀槽与偶数位第二互连层刻蚀槽在堆叠方向上的轮廓互不相交； 所述奇数位第一互连层刻蚀槽和所述偶数位第一互连层刻蚀槽靠近所述第一边缘，所述奇数位第二互连层刻蚀槽和所述偶数位第二互连层刻蚀槽靠近所述第二边缘； 所述绝缘层位于相邻的互连层之间，用于提供绝缘的电介质； 当前半导体芯片的衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面用于提供互连层的附着表面；所述第二表面用于抵接下层半导体芯片顶端的互连层。

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