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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种高光效发光二极管外延片生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653001.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高光效发光二极管外延片生长方法是由徐洋洋;谢阳;王文君;包宜征;徐彤;黎国昌;徐志军设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光效发光二极管外延片生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种高光效发光二极管外延片生长方法，包括：衬底，在衬底上生长缓冲层，其上生长U_GaN1层，其上生长U_GaN2层，其上生长NGaN层及LED全结构层；其中U_GaN1层包括低温低长速生长的3D1层，其上生长重结晶层，其上生长3D2层；其中重结晶层温度大于3D1层，重结晶层NH3小于3D1层，H2大于3D1层。本发明创新的利用重结晶层气氛不同，使C面非C面上GaN分解，从而消除非C面GaN晶体占比，其上生长3D2高温高长速，主要是C面上GaN晶体，利于消除与非C面接触的位错及在图形化衬底顶端生长的GaN晶体减少空洞的生成，从而提升外延材料的晶格质量，提升发光效率。

本发明授权一种高光效发光二极管外延片生长方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效发光二极管外延片生长方法，其特征在于，包括：衬底，在衬底上生长缓冲层，其上生长U_GaN1层，其上生长U_GaN2层，其上生长NGaN层及LED全结构层；其中U_GaN1层包括低温低长速生长的3D1层，其上生长重结晶层，其上生长3D2层；其中重结晶层温度大于3D1层，重结晶层NH3流量小于3D1层，H2流量大于3D1层；所述3D1层生长条件为温度：1030~1080度，NH3流量:15~80SLM，N2流量：25~100SLM，H2流量：120~350SLM，TMG流量：160~500Sccm，生长厚度在0.03~0.09μm，压力P=200Torr；转速：700~900RPM；所述重结晶层生长条件为温度：1080~1100度，无Mo源通入情况下生长30s~3min，压力P=200Torr；转速：700~900RPM，重结晶时间10~300s；所述3D2层生长条件为温度：1080~1100度，NH3流量:15~80SLM，N2流量：25~100SLM，H2流量：120~350SLM，TMG流量：400~1600Sccm，生长5~12min，压力P=200Torr；转速：700~900RPM，3D2层生长所有参与的气体气氛条件同3D1层。

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