上海中鑫赛斯半导体有限公司童丽丽获国家专利权
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龙图腾网获悉上海中鑫赛斯半导体有限公司申请的专利一种可控制氧气浓度的真空炉输送机构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223020941U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422586691.X，技术领域涉及：F27D19/00；该实用新型一种可控制氧气浓度的真空炉输送机构是由童丽丽设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可控制氧气浓度的真空炉输送机构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种可控制氧气浓度的真空炉输送机构，涉及半导体焊接技术领域，旨在解决当前真空焊接炉在进产品时会带入大量的空气进入焊接室内，严重影响焊接室内的氮气环境，若氮气含量下降则易于导致产品在焊接时出现氧化的情况，导致产品质量降低、甚至产生报废的技术问题，包括框架组件、设于框架组件内的输送组件以及氧气控制组件，本实用新型通过调整前气动挡帘、中气动挡帘、后气动挡板的开合顺序，减少外界与真空焊接炉的直接接通，并配合隔绝气幕提供空气隔绝，大大保障了真空焊接炉内氮气环境的稳定性，避免了因氮气含量下降而导致焊接氧化的问题出现，大大提高了产品的质量，减少了报废问题的产生。
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