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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利一种读写电路、方法以及阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441865.1，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种读写电路、方法以及阵列是由张洪超;韩则地;李金浩;王旻;周剑锋;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种读写电路、方法以及阵列在说明书摘要公布了：本申请提供了一种读写电路、方法以及阵列，涉及集成电路技术领域，该读写电路至少包括第一开关管、第二开关管、自旋轨道矩层、多个磁隧道结、写位线、读位线以及源线；多个磁隧道结顺序排布于自旋轨道矩层上，且多个磁隧道结的顶部连接于同一条读位线；自旋轨道矩层两端分别连接写位线和源线，第一开关管用于控制写位线对自旋轨道矩层施加写入电压；第二开关管用于控制读位线对多个磁隧道结施加读取电压；数据读取时，通过控制第一开关管和第二开关管的导通或关断，可获得两种存储数据，并基于两种存储数据得到多个磁隧道结的具体存储状态。本申请可以提供一种不需要增大存储密度，就能够得到较多阻态数目的技术方案。

本发明授权一种读写电路、方法以及阵列在权利要求书中公布了：1.一种读写电路，其特征在于，至少包括第一开关管、第二开关管、自旋轨道矩层、多个磁隧道结、写位线、读位线以及源线； 所述多个磁隧道结顺序排布于所述自旋轨道矩层上，且所述多个磁隧道结的顶部连接于同一条所述读位线； 所述自旋轨道矩层两端分别连接所述写位线和所述源线，所述第一开关管用于控制所述写位线对所述自旋轨道矩层施加写入电压； 所述第二开关管用于控制所述读位线对所述多个磁隧道结施加读取电压； 数据读取时，通过控制所述第一开关管和所述第二开关管的导通或关断，可获得两种存储数据，并基于所述两种存储数据得到所述多个磁隧道结的具体存储状态； 数据读取时，所述第一开关管关断，所述第二开关管导通，通过所述读位线和所述源线向所述多个磁隧道结提供第一读取电压，获得第一读取数据； 所述第一读取数据用于获取所述多个磁隧道结在并联状态下的第一存储状态； 所述第一存储状态种类为N+1种，其中，N为所述磁隧道结的数量； 部分所述第一存储状态的所述第一读取数据相同； 获得第一读取数据后，所述第一开关管和所述第二开关管导通，控制所述读位线和所述写位线两端的第二读取电压大小相同，基于所述源线处的电流数值大小和所述磁隧道结的位置分布获得第二读取数据； 所述第二读取数据用于获取所述第一读取数据相同时多个所述磁隧道结的具体存储状态。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。