上海中鑫赛斯半导体有限公司童丽丽获国家专利权
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龙图腾网获悉上海中鑫赛斯半导体有限公司申请的专利一种固定距离升降产品的真空炉机构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223020830U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422495761.0,技术领域涉及:F27B5/05;该实用新型一种固定距离升降产品的真空炉机构是由童丽丽设计研发完成,并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种固定距离升降产品的真空炉机构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种固定距离升降产品的真空炉机构,涉及半导体芯片焊接技术领域,旨在解决当前现有技术对于升降的距离的控制是由传感器和感应片来控制,运动机构是由涡轮蜗杆控制升降距离,当运行时间长后,间隙累计,产品的抬升距离会变低的技术问题,包括运动部,连接部,动力部,抬升部,抬升部包括底板以及可拆卸安装于底板上表面一侧的支架结构,支架结构的顶部设置有支撑杆,且支架结构的底部可拆卸安装有凸轮推杆,凸轮推杆的底端内部可拆卸设置有轴承二,且凸轮推杆的底端一侧螺纹配合安装有用于对轴承二进行拆装的固定螺栓,连接部包括轴承座,动力部包括凸轮轴。本实用新型具有实现对产品长期稳定的往复升降的优点。
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