恭喜联华电子股份有限公司邱淳雅获国家专利权
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龙图腾网恭喜联华电子股份有限公司申请的专利高电压晶体管结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010993261.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高电压晶体管结构及其制造方法是由邱淳雅;许智凯;陈金宏;许嘉榕;傅思逸;林毓翔设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压晶体管结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电压晶体管结构及其制造方法，其中该高电压晶体管结构包括基板。第一导电型的外延掺杂结构，形成在所述基板中，其中所述外延掺杂结构的顶部包含未掺杂外延顶层。栅极结构设置在所述基板上，且至少重叠于所述未掺杂外延顶层。第二导电型的源漏极区域形成在所述外延掺杂结构中，在所述栅极结构侧边。所述第一导电型不同于所述第二导电型。
本发明授权高电压晶体管结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高电压晶体管结构，其特征在于，包括: 基板； 第一导电型的外延掺杂结构，形成在所述基板中，其中所述外延掺杂结构的顶部包含未掺杂外延顶层，所述外延掺杂结构包含多个掺杂外延层在所述未掺杂外延顶层下方，且所述第一导电型的掺杂浓度是往下递减； 栅极结构，设置在所述基板上，且至少重叠于所述未掺杂外延顶层；以及 第二导电型的源漏极区域，形成在所述外延掺杂结构中，在所述栅极结构侧边， 其中所述第一导电型不同于所述第二导电型。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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