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龙图腾网恭喜宁波大学申请的专利高准确性磁屏蔽室仿真评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120087156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510565652.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权高准确性磁屏蔽室仿真评估方法是由张志聃;李犇;边科;杨坤;孔祥燕设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本高准确性磁屏蔽室仿真评估方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高准确性磁屏蔽室仿真评估方法，本发明基于有限元仿真，能够在真实环境场中构建高准确性磁屏蔽室环境场；本发明对加入主动补偿系统的带有门缝的磁屏蔽室进行仿真分析，提高对磁屏蔽室的仿真结果的准确性，从而在搭建前对所设计的磁屏蔽室的性能进行高准确性仿真，评估设计的磁屏蔽室对环境噪声的屏蔽效果；本发明还可对磁屏蔽室在搭建过程中对环境噪声的屏蔽效果进行评估，从而在搭建过程中有针对性地优化磁屏蔽室的设计方案，来满足要求。

本发明授权高准确性磁屏蔽室仿真评估方法在权利要求书中公布了：1.高准确性磁屏蔽室仿真评估方法，其特征在于，包括以下步骤： S1环境场构建： S1.1在有限元仿真软件中建立磁场模型，该磁场模型外围的背景域均匀，在背景域中建立屏蔽室模型； S1.2利用磁通门传感器测量真实环境场中x轴、y轴、z轴方向的三轴时域磁场数据，将测得的三轴时域磁场数据转化为有限元仿真软件的插值函数； S1.3通过公式B=μ0H将插值函数转换为环境磁场参数，其中B为磁感应强度，μ0为真空磁导率，H为磁场强度； S1.4在背景域中加载转换后的环境磁场参数，建立真实环境磁场模型； S2评估带有门缝的磁屏蔽室对环境噪声的屏蔽效果： S2.1使用有限元仿真软件建立包含x轴方向门缝的磁屏蔽室三维模型，采用差分法构建磁屏蔽室三维模型的门框结构； S2.2在构建的磁屏蔽室三维模型的外部加入方形亥姆霍兹线圈作为主动补偿系统，采用平面拉伸法构建三维线圈几何结构； S2.3向磁屏蔽室三维模型施加构建的环境磁场参数，往线圈中通入不同频率的电流，对比磁屏蔽室三维模型内部及外部的磁场，计算不同频率磁场下磁屏蔽室三维模型的屏蔽系数SF=20×logB0Bin，以时域信号、磁场频谱及三轴分量变化作为评估标准，评估磁屏蔽室三维模型对环境噪声的屏蔽效果，其中B0为环境磁场强度，Bin为磁屏蔽室三维模型内部的剩磁； S3评估带有门缝的磁屏蔽室在搭建过程中对环境噪声的屏蔽效果： S3.1逐层搭建带有门缝的磁屏蔽室的屏蔽层，每搭建完成一层屏蔽层即进行磁场测量； S3.2将磁场测量数据反馈至构建的磁屏蔽室三维模型中，并采用中步骤S2.3的方法验证当前搭建的磁屏蔽室对环境噪声的屏蔽效果； S3.3根据验证结果对拟搭建的下一层屏蔽层进行参数动态调整； S3.4重复步骤S3.1~步骤S3.3，直至完成全部屏蔽层的搭建。

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