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龙图腾网恭喜之江实验室申请的专利RRAM忆阻器的耐久性测试方法、装置、电子设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510314405.0，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权RRAM忆阻器的耐久性测试方法、装置、电子设备和介质是由周睿晰;时拓;崔狮雨;陈美文设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本RRAM忆阻器的耐久性测试方法、装置、电子设备和介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种RRAM忆阻器的耐久性测试方法、装置、电子设备和介质。其中方法包括：获取RRAM器件的当前状态；基于RRAM器件的当前状态，确定连续多次复位操作和连续多次置位操作的先后顺序；复位操作表示对RRAM忆阻器件进行擦除；置位操作表示对RRAM忆阻器件进行编程；使用渐变增大的脉冲强度，确定RRAM器件的电阻区间；渐变增大的脉冲强度包括能够翻转RRAM当前状态的初始脉冲强度；根据RRAM器件的电阻区间内最高阻态和最低阻态，选用耐久性测试所使用的固定脉冲参数，加载连续交替的复位操作和置位操作，对RRAM器件进行耐久性测试。如此，可以避免由于过复位或过置位问题导致的耐久性测试提前失效。

本发明授权RRAM忆阻器的耐久性测试方法、装置、电子设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种RRAM忆阻器的耐久性测试方法，其特征在于，包括： 获取RRAM器件的当前状态； 基于所述RRAM器件的当前状态，确定连续多次复位操作和连续多次置位操作的先后顺序；所述复位操作表示对RRAM忆阻器件进行擦除；所述置位操作表示对RRAM忆阻器件进行编程； 使用渐变增大的脉冲强度，确定RRAM器件的电阻区间；所述渐变增大的脉冲强度包括能够翻转所述RRAM当前状态的初始脉冲强度；所述RRAM器件的电阻区间包括最高阻态和最低阻态；其中，所述使用渐变增大的脉冲强度，确定RRAM器件的电阻区间，包括：按照所确定的复位操作和置位操作的先后顺序，从所述初始脉冲强度开始，使用所述连续多次复位操作和所述连续多次置位操作的组合，对所述RRAM器件的电阻区间窗口进行扫描，获取所述RRAM器件的最高阻态和所述RRAM器件的最低阻态；所述渐变增大的脉冲强度包括渐变增大的置位脉冲强度，和或渐变增大的复位脉冲强度；所述渐变增大方式包括：通过固定脉冲宽度并固定步进增大的脉冲高度，或者通过固定脉冲高度并固定步进增大的脉冲宽度，或者，同时固定步进增大的脉冲宽度及增大的脉冲高度； 根据RRAM器件的电阻区间内最高阻态和最低阻态，选用耐久性测试所使用的固定脉冲参数，加载连续交替的复位操作和置位操作，对所述RRAM器件进行耐久性测试； 所述方法还包括：采用如下方式，确定RRAM器件失效：若当前循环的开关比低于所设定的最小开关比阈值，则确定为耐久性失效，并记录置位操作和复位操作的循环次数，作为耐久性测试结果；其中，当前循环的开关比是单次复位脉冲后的高电阻值与单次置位脉冲后的低电阻值之比。

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