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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510267494.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法是由施广彦;何佳;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区、第一N型区、第二N型区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅极介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成场板金属层；去除阻挡层，完成制备，在不影响器件导通特性的基础上提高器件的终端耐压能力。

本发明授权一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第一N型区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第二N型区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型阱区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成栅极介质层； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘介质层； 步骤11、去除步骤10的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成场板金属层；去除阻挡层，完成制备； 所述P型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型区内侧面连接至所述P型阱区外侧面；所述第一N型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第一N型区内侧面连接至所述P型区外侧面；所述第二N型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第二N型区内侧面连接至所述第一N型区外侧面。

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