中国电子科技集团公司第五十四研究所刘军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种集成本振源的太赫兹混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115208322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210809232.6，技术领域涉及：H03D7/04；该发明授权一种集成本振源的太赫兹混频器是由刘军;宋瑞良;刘宁;崔东暖;宋树田设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成本振源的太赫兹混频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成本振源的太赫兹混频器，属于太赫兹射频技术领域，其包括：磷化铟InP基板电路、金属腔体、射频波导以及减高波导，InP基板电路上依次设有射频接地结构、射频探针过渡结构、射频匹配结构、反向并联共振隧穿二极管对、本振匹配结构、本振低通滤波结构、本振双工结构、基于共振隧穿二极管本振源结构、中频低通滤波器结构；非线性器件采用单片集成的反向并联共振隧穿二极管实现，位于射频匹配结构与本振匹配结构之间；本振源采用基于共振隧穿二极管实现，通过本振双工结构馈入反向并联二极管。本发明采用全单片集成的方式实现，共振隧穿二极管为混频器提供本振信号，减小了体积，降低了复杂性，改善了变频损耗，提高了器件的稳定性。
本发明授权一种集成本振源的太赫兹混频器在权利要求书中公布了：1.一种集成本振源的太赫兹混频器，其特征在于，包括磷化铟InP基板电路、金属腔体、射频波导以及减高波导，InP基板电路固定于适配的金属腔体内； 所述InP基板电路上依次设有射频接地结构、射频探针过渡结构、射频匹配结构、反向并联共振隧穿二极管对、本振匹配结构、本振低通滤波结构、本振双工结构、基于共振隧穿二极管本振源结构和中频低通滤波器结构； 所述射频匹配结构与本振匹配结构之间设有反向并联共振隧穿二极管对，并采用单片集成工艺实现； 本振源采用基于共振隧穿二极管实现，通过本振双工结构馈入反向并联二极管。
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