西安紫光国芯半导体有限公司左丰国获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利一种芯片布线方法、芯片布线装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114510899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210175248.6，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种芯片布线方法、芯片布线装置、电子设备及存储介质是由左丰国;于海林;刘琦;江喜平设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片布线方法、芯片布线装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片布线方法、芯片布线装置、电子设备及存储介质，芯片布线方法包括基于初始布线状态报告中走线的布线参数，调整相邻走线之间的布线间距，生成预测布线状态报告；布线参数包括布线密度、走线类型和对应的经验缺陷尺寸分布中至少一种；基于预测布线状态报告对芯片进行布线设计。本发明解决了现有技术无法很好控制芯片缺陷引起芯片失效概率高的技术问题，本发明通过后端物理实现的方法来减少缺陷defect落在芯片走线上或是走线之间引起芯片失效的概率。
本发明授权一种芯片布线方法、芯片布线装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片布线方法，其特征在于，包括以下步骤： 基于初始布线状态报告中走线的布线参数，调整相邻走线之间的布线间距，生成预测布线状态报告；所述布线参数包括布线密度、走线类型和对应的经验缺陷尺寸分布中至少一种； 其中，基于初始布线状态报告中走线的布线参数，调整相邻走线之间的布线间距的步骤包括：基于所述布线密度将预定区域分为第一预定区域和第二预定区域，所述第一预定区域的布线密度大于所述第二预定区域的布线密度；基于所述第一预定区域的布线密度、走线类型和对应的经验缺陷尺寸分布调整所述第一预定区域内相邻走线的布线间距；以及基于所述第二预定区域的布线密度、走线类型和对应的经验缺陷尺寸分布调整所述第二预定区域内相邻走线的布线间距；所述预定区域基于布线密度和经验缺陷尺寸确定； 基于所述预测布线状态报告对芯片进行布线设计。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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