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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210013550.1，技术领域涉及：H10D84/05；该发明授权一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法是由侯斌;牛雪锐;王博麟;杨凌;武玫;张濛;王冲;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法，包括：提供第一衬底并生长外延结构；去除第一预设区域内的p‑GaN层，并在第二预设区域内刻蚀形成第一凹槽；在p‑GaN层表面沉积形成SiN层；在SiN层表面键合第二衬底，翻转样品并刻蚀掉第一衬底及GaN缓冲层；刻蚀电隔离区域、n沟道器件有源区和p沟道器件有源区；制作n沟道器件和p沟道器件的源、漏极；刻蚀n沟道器件的GaN层形成第二凹槽并沉积Al2O3；去除n沟道器件以外的Al2O3，并制作n沟道器件和p沟道器件的栅极；生长SiN保护层，并光刻金属互联层开孔区后引出电极，本发明可改善沟道载流子迁移率，进而改善p沟道器件的电学特性。

本发明授权一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底，并在所述第一衬底表面生长外延结构，所述外延结构包括依次生长于第一衬底表面的GaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层和p-GaN层，所述外延结构包括第一预设区域和第二预设区域； 通过刻蚀去除所述第一预设区域内的p-GaN层，并在所述第二预设区域内刻蚀p-GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面，形成第一凹槽； 在p-GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面沉积形成SiN层，且至少部分SiN层与所述GaN层远离GaN缓冲层的一侧表面相接触； 在SiN层远离所述第一衬底一侧的表面键合形成第二衬底，并在沿垂直于第一衬底所在平面的方向翻转样品之后，刻蚀掉所述第一衬底及所述GaN缓冲层； 刻蚀所述第二预设区域中靠近所述第一预设区域一侧的至少部分GaN层、AlGaN势垒层、p-GaN层和SiN层，形成电隔离区域、以及分别位于所述电隔离区域两侧的n沟道器件有源区和p沟道器件有源区； 在所述n沟道器件中GaN层远离所述AlGaN势垒层的一侧表面制作第一源电极和第一漏电极后，刻蚀所述p沟道器件的GaN层和至少部分AlGaN势垒层，并在p-GaN层远离第二衬底的一侧制作第二源电极和第二漏电极； 刻蚀所述n沟道器件中GaN层远离所述AlGaN势垒层一侧的表面，形成第二凹槽，并在n沟道器件及p沟道器件远离所述第二衬底的一侧表面沉积Al2O3； 刻蚀去除覆盖于n沟道器件以外的Al2O3，并在p沟道器件中AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面刻蚀形成第三凹槽后，制作n沟道器件的第一栅电极和p沟道器件的第二栅电极； 在所述n沟道器件及所述p沟道器件远离第二衬底的一侧表面生长SiN保护层，并在SiN保护层上光刻金属互联层开孔区后引出第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第二源电极、第二漏电极和第二栅电极，并使第一漏电极与第二漏电极电连接，得到所述N面GaN基p、n沟道器件集成结构。

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