长鑫存储技术有限公司李新获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利保护环及其形成方法、半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111563365.1，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权保护环及其形成方法、半导体结构是由李新;应战设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护环及其形成方法、半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种保护环及其形成方法、半导体结构，其中，所述保护环至少包括埋入式保护结构；所述埋入式保护结构位于半导体衬底中；所述埋入式保护结构用于保护形成于所述半导体衬底内部的第一功能结构。本公开实施例提供的保护环可以对形成于半导体衬底内部的第一功能结构实现保护作用，进而可以有效抵挡晶圆切割过程中的应力对芯片造成的损害，提高芯片的切割良率。
本发明授权保护环及其形成方法、半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种保护环，其特征在于，至少包括埋入式保护结构； 所述埋入式保护结构位于半导体衬底中； 所述埋入式保护结构用于保护形成于所述半导体衬底内部的第一功能结构；其中， 所述埋入式保护结构包括埋入式字线保护结构；所述第一功能结构包括字线结构； 所述埋入式字线保护结构用于保护所述字线结构； 所述字线结构与所述埋入式字线保护结构的组成结构相同；所述埋入式字线保护结构的组成结构至少包括栅极介质层、字线金属层和栅极保护图案。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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