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龙图腾网获悉湖北芯映光电有限公司申请的专利一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111521442.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板是由袁婷;刘强设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板在说明书摘要公布了：本发明涉及LED加工技术领域，公开了一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板，包括：将MicroLED芯片顶部的第一金属层和CMOS背板晶片的表面的第二金属层对接，并通过热压法结合，形成MicroLED阵列。本发明具有以下优点和效果：由于利用金属之间热压扩散现象将MicroLED芯片转移到CMOS背板晶片上，而金属热压仅需要对准后按照热压法加热即可，规避了锡膏法中锡膏使用时间的限制，可以用以构建更大的集成板，相应的减少了大尺寸屏组装时所需要的集成板的数量，相应减少了屏组的拼缝面积，提高了LED屏幕的使用感受。同时，与传统锡膏过炉硬化结合相比，金属热压法粘接强度更高，没有锡球开裂和连锡等不良现象，可靠性更优。

本发明授权一种巨量转移方法、集成板封装方法和集成板在权利要求书中公布了：1.一种集成板封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 根据巨量转移方法完成MicroLED阵列； 将MicroLED阵列的蓝宝石衬底1去除，并将设置有控制回路的玻璃基板4覆盖于MicroLED阵列去除蓝宝石衬底1的一面； 在玻璃基板4上均匀覆盖遮光层5；所述遮光层5采用黑胶或光刻胶；在遮光层5内按照红、绿和蓝的色彩间隔进行量子点填充，然后覆盖表面层7，形成集成板，其中每个量子点填充的位置与MicroLED阵列中每一个MicroLED芯片2对应； 所述量子点填充包括以下步骤： 遮光层5内按照红、绿和蓝的色彩间隔注入对应颜色的量子点胶体，形成对应颜色的填充区6，每个填充区6的位置与一个MicroLED芯片2对应，其中对应蓝色的填充区6注入透明胶体或者空置； 在填充区6顶面覆盖对应颜色的滤光片61； 所述填充区6为锥台型，具有顶面和底面，其中顶面大于底面，所述底面朝向玻璃基板4； 所述遮光层5被填充区6分割为多个锥台型结构，其中朝向玻璃基板4的一面面积小于朝向表面层7的一面； 在形成填充区6时，在填充区6与遮光层5之间镀银； 其中，所述巨量转移方法包括： 在蓝宝石衬底1上生长外延层11，将第一金属层12沉积在外延层11顶面，然后加工形成阵列排布的多个MicroLED芯片2； 在CMOS背板晶片3的表面沉积第二金属层31，然后按照单个MicroLED芯片2的尺寸将第二金属层31划分成同样大小的阵列； 将MicroLED芯片2顶部的第一金属层12和CMOS背板晶片3的表面的第二金属层31对接，并通过热压法结合，形成MicroLED阵列； 在蓝宝石衬底1上生长外延层11后，在外延层11上镀一层银形成镀银层121，然后在镀银层121顶面沉积第一金属层12； 所述热压法包括如下步骤： 将MicroLED芯片2顶面的第一金属层12和CMOS背板晶片3的表面的第二金属层31对齐并互相紧压，形成微观塑性变形； 在真空或保护气氛中进行退火处理，使得第一金属层12和第二金属层31互相扩散形成固溶体。

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