济南晶正电子科技有限公司郑姗姗获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412421.1，技术领域涉及：H10N30/04；该发明授权一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法是由郑姗姗;李真宇;刘亚明;孔霞设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括：通过离子注入法向第一晶圆注入离子，将第一晶圆与衬底基板键合，得到键合体；对键合体热处理，得到单晶压电复合薄膜；在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；将预制备体掩埋于黑化粉末中；在还原炉内，对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；去除第二晶圆或还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜，再进行黑化还原热处理，这样，可以保证最终制备得到的黑化单晶压电复合薄膜中黑化的薄膜层具有较低的热释电系数和电阻率。
本发明授权一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种黑化单晶压电复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 准备第一晶圆和衬底基板，其中，所述第一晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆； 通过离子注入法向所述第一晶圆注入离子，将所述第一晶圆依次分为余质层、分离层和薄膜层； 将所述第一晶圆与所述衬底基板键合，得到键合体； 对所述键合体热处理，将所述余质层与所述薄膜层分离，得到单晶压电复合薄膜； 在所述单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；所述第二晶圆与所述第一晶圆的材料相同； 将所述预制备体掩埋于黑化粉末中，其中，所述黑化粉末包括还原性粉末与碳酸锂粉末； 在还原炉内，对掩埋于所述黑化粉末中的所述单晶压电复合薄膜黑化还原热处理； 去除所述第二晶圆或所述还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜； 对所述黑化单晶压电复合薄膜中的薄膜层表面抛光。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人济南晶正电子科技有限公司，其通讯地址为：250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号