硅电子股份公司T·施泰特纳获国家专利权
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龙图腾网获悉硅电子股份公司申请的专利用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116368261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180067105.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备是由T·施泰特纳;W·埃德迈尔设计研发完成，并于2021-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备在说明书摘要公布了：本发明涉及用于在由半导体材料制成的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备，该衬底晶圆具有楔形横截面，该楔形横截面具有较薄边缘和较厚边缘。该方法包括：在沉积设备中布置衬底晶圆和基座，使得衬底晶圆同心地搁置在基座上并且基座由支撑轴保持；使支撑轴旋转一定的时间段；使沉积气体在从气体入口到气体出口的方向上在衬底晶圆的上方通过；使冲刷气体以一定的流速沿着预热环的下侧和基座的下侧通过；使支撑轴沿着在从初始位置开始到最终位置并返回到初始位置的方向上的位移路径移动所述一定的时间段，其中在该初始位置，较薄边缘与气体入口相距最小距离，并且在该最终位置，较薄边缘与气体入口相距最大距离。
本发明授权用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法，所述衬底晶圆具有楔形横截面，所述楔形横截面具有较薄边缘和较厚边缘，所述方法包括： 在沉积设备中布置所述衬底晶圆和基座，使得所述衬底晶圆同心地搁置在所述基座上并且所述基座由支撑轴保持； 使所述支撑轴以一定的时间段旋转； 使沉积气体在从气体入口到气体出口的方向上在所述衬底晶圆的上方通过； 使冲刷气体以一定的流速沿着预热环的下侧和所述基座的下侧通过； 使所述支撑轴以所述一定的时间段沿着在从初始位置开始到最终位置并返回到所述初始位置的方向上的位移路径移动，其中在所述初始位置，所述较薄边缘与所述气体入口相距最小距离，并且在所述最终位置，所述较薄边缘与所述气体入口相距最大距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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