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龙图腾网获悉未来宝株式会社申请的专利半导体工程用反应副产物多重捕获装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110816011.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工程用反应副产物多重捕获装置是由赵宰孝;李妍周;金真雄;韩智银设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工程用反应副产物多重捕获装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于：为了利用一个捕获装置对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多重沉积形成不同薄膜层的工程之后排出的气体中包含的混合反应副产物进行捕获，通过基于与加热器的间隔距离的垂直温度分布差异以及利用捕获结构的流路方向转换和多重涡流生成结构对捕获区域进行分离，从而在上部区域通过第一捕获部对在相对高温区域以薄膜形态发生凝聚的反应副产物进行捕获，而在下部区域通过第二捕获部对在相对低温区域以粉末形态发生凝聚的反应副产物进行捕获并借此在一个捕获装置中对反应副产物进行捕获。

本发明授权半导体工程用反应副产物多重捕获装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于： 作为用于对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多层薄膜沉积过程之后排出的未反应气体中包含的混合反应副产物进行捕获的捕获装置，包括： 第一捕获部3，位于与安装在外壳1的上板下部的加热器2接近的上部区域，为了将混合反应副产物中在相对高温下发生反应的反应副产物以薄膜形态进行捕获，沿着垂直方向多级配备具有流路延长以及涡流形成结构的第一捕获结构体31以及第二捕获结构体32；以及， 第二捕获部4，位于所述第一捕获部3的下部，为了在与上部区域相比维持相对低温的空间区域中将混合反应副产物中在相对低温下发生反应的反应副产物以粉末形态进行捕获，沿着垂直方向多级配备具有流路延长以及多重涡流形成结构的第三捕获结构体41、第四捕获结构体42、第五捕获结构体43、第六捕获结构体44以及第七捕获结构体45； 借此，在一个装置中通过基于与加热器的间隔距离的垂直温度分布差异对区域进行分离，从而对流入的所述未反应气体中的混合反应副产物分别进行捕获， 所述第三捕获结构体41将从第一捕获部的第二捕获结构体32下降的气体的流路转换至外侧方向而使其通过沿着周围形成的气体移动孔411下降，并通过以段差向外侧方向升高的方式多重配置的屏蔽型捕获板部412形成涡流的同时对反应副产物进行捕获。

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