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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110601773.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备方法是由徐晓强;吴向龙;闫宝华设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备方法，包括步骤：1将ITO源1放入坩埚内，在ITO源1的上表面放置ITO源2，待蒸镀使用；2将清洗后的待蒸镀晶片放入蒸发台腔体内，然后进行加热、抽真空；将坩埚冷却水流量调整到Q1，待镀膜温度达到T1，真空度达到设定值后，进行底层ITO膜层的蒸镀；3完成上述步骤2后，关闭加热，将腔体温度冷却到T2，将坩埚冷却水流量调整到Q2后，进行粗化ITO膜层的蒸镀。本发明的制备方法主要通过蒸镀过程的控制，直接蒸镀出粗糙的ITO膜层，来得到出光效率较高的LED芯片，本发明的制备方法成本较低、粗糙化理想，适合规模化作业。

本发明授权一种LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备方法，采用电子束蒸发法，包括步骤如下： （1）ITO源准备：将ITO源1放入坩埚内，在ITO源1的上表面放置ITO源2，待蒸镀使用；所述的ITO源1的形状为圆柱形，所述ITO源1的高度小于或等于坩埚垂直段的高度，所述ITO源1与坩埚内壁接触；所述的ITO源2的形状为凹字形，所述凹字形的开口与ITO源1上表面相对；所述凹字形的两侧与坩埚垂直段内壁的间距为1-2mm；所述凹字形开口所对的底部的ITO源的总量与蒸镀底层ITO膜层所需的ITO的量相同； （2）底层ITO膜层的制备：将清洗后的待蒸镀晶片放入蒸发台腔体内，然后进行加热、抽真空；将坩埚冷却水流量调整到Q1，待镀膜温度达到T1，真空度达到设定值后，进行底层ITO膜层的蒸镀；坩埚冷却水流量Q1为2-4Lmin，镀膜温度T1为330-350℃； （3）粗化ITO膜层的制备：步骤（2）完成后，关闭加热，将腔体温度冷却到T2，将坩埚冷却水流量调整到Q2后，进行粗化ITO膜层的蒸镀，即完成LED晶片表面的粗化ITO膜层的制备；所述的T2为80-100℃，坩埚冷却水流量Q2为8-10Lmin。

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