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龙图腾网获悉株式会社安川电机;安川美国有限公司申请的专利晶片预对准器及预对准晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010920362.8，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权晶片预对准器及预对准晶片的方法是由约翰·查尔斯·罗杰斯;玛格丽特·凯瑟琳·斯威奇基设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片预对准器及预对准晶片的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及晶片预对准器及预对准晶片的方法。预对准器用于预对准具有刻痕的晶片。该预对准器包括具有晶片接收表面的晶片平台，和驱动设备。提供检测器以检测刻痕，并且提供存储器以存储刻痕窗口，该刻痕窗口限定相对于起始位置的角度范围，预测刻痕位于该角度范围内。控制器执行预对准操作，其中晶片从起始位置旋转到对准位置。控制器执行操作，以使得以最大加速度减速度值将晶片从起始位置旋转到由检测器检测到的刻痕位置：其中，操作被限制到用于将晶片从起始位置旋转到刻痕窗口的最大速度，并且其中，操作在刻痕窗口内被限制到扫描速度，直到检测到刻痕位置为止。

本发明授权晶片预对准器及预对准晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于使晶片预对准的预对准器，所述晶片在其外围边缘上具有刻痕，所述预对准器包括： 旋转单元，包括：晶片平台，其具有被配置为接收所述晶片的晶片接收表面；和驱动设备，其被配置为使所述晶片平台绕轴线旋转； 检测器，其被配置为在所述晶片接收表面接收到所述晶片时检测所述晶片上的所述刻痕； 存储器，其被配置为存储刻痕窗口，该刻痕窗口限定相对于所述晶片接收表面最初接收所述晶片的起始位置的角度的范围，其中所述刻痕被预测位于所述角度的范围内，所述起始位置与所述检测器的感测区域相对应；以及 控制器，其被编程为执行预对准操作，在所述预对准操作中将所述晶片从所述起始位置旋转到预定对准位置， 其中，所述控制器被编程为执行所述预对准操作，以使得以最大加速度减速度值将所述晶片从所述起始位置旋转到由所述检测器检测到的刻痕位置： 其中，所述预对准操作被限制到用于将所述晶片从所述起始位置旋转到所述刻痕窗口的最大速度；并且 其中，所述预对准操作被限制到用于在所述刻痕窗口内在所述检测器检测到所述刻痕位置之前旋转所述晶片的扫描速度，所述扫描速度小于所述最大速度。

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