珠海南北极科技有限公司董明圣获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海南北极科技有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器及其操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113936713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010842743.9,技术领域涉及:G11C11/02;该发明授权磁阻式随机存取存储器及其操作方法是由董明圣;林文钦设计研发完成,并于2020-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器及其操作方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器,所述磁阻式随机存取存储器包括多个输入输出单元,每个输入输出单元可以同时读写多个存储单元,因此该磁阻式随机存取存储器读写列到列延迟时间tCCDColumntoColumnDelay可以相当于或快于动态随机存取存储器,进而得到与动态随机存取存储器相同或更快的数据速率data‑rate。
本发明授权磁阻式随机存取存储器及其操作方法在权利要求书中公布了:1.一种磁阻式随机存取存储器,其特征在于,包括: 多个输入输出单元,每一个输入输出单元包含: 一第一存储单元,具有一第一位元线及一第一源线; 一第二存储单元,具有一第二位元线及一第二源线; 一第一写入位元线,用于接收一第一信号; 一第二写入位元线,用于接收一第二信号; 一第一写入源线,用于接收所述第二信号; 一第二写入源线,用于接收所述第一信号; 一第一读取位元线,用于接收一第三信号; 一第二读取位元线,用于接收所述第三信号; 一第一读取源线,用于接收一第四信号; 一第二读取源线,用于接收所述第四信号; 一第一选择电路,连接所述第一位元线、所述第一读取位元线、所述第二读取位元线、所述第一写入位元线及所述第二写入位元线,用于将所述第一位元线与所述第一读取位元线、所述第二读取位元线、所述第一写入位元线及所述第二写入位元线其中之一连接; 一第二选择电路,连接所述第一源线、所述第一读取源线、所述第二读取源线、所述第一写入源线及所述第二写入源线,用于将所述第一源线与所述第一读取源线、所述第二读取源线、所述第一写入源线及所述第二写入源线其中之一连接; 一第三选择电路,连接所述第二位元线、所述第一读取位元线、所述第二读取位元线、所述第一写入位元线及所述第二写入位元线,用于将所述第二位元线与所述第一读取位元线、所述第二读取位元线、所述第一写入位元线及所述第二写入位元线其中之一连接; 一第四选择电路,连接所述第二源线、所述第一读取源线、所述第二读取源线、所述第一写入源线及所述第二写入源线,用于将所述第二源线与所述第一读取源线、所述第二读取源线、所述第一写入源线及所述第二写入源线其中之一连接; 一第一感应放大器,连接所述第一读取位元线,用于读取所述第一存储单元或所述第二存储单元的资料; 一第二感应放大器,连接所述第二读取位元线,用于读取所述第一存储单元或所述第二存储单元的资料。
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