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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010710244.4，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法是由王志佑设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法在说明书摘要公布了：一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法。一种等离子体放电探测系统探测半导体工艺腔室内的不期望的等离子体放电事件。等离子体放电探测系统包括位于半导体工艺腔室周围的一个或多个相机。相机从半导体工艺腔室内拍摄图像。等离子体放电探测系统包括从相机接收图像的控制系统。控制系统对图像进行分析并基于图像探测半导体工艺腔室内的等离子体放电。控制系统可响应于探测到等离子体放电而实时调整半导体工艺。本公开可使半导体晶片及其集成电路中产生更好的均匀性。

本发明授权在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法，包括： 在包括顶部电极和位于底部电极上的晶片的半导体工艺腔室内对所述晶片进行等离子体辅助半导体工艺，其中所述等离子体辅助半导体工艺产生邻近所述顶部电极的阳极辉光区、邻近所述底部电极的阴极辉光区以及所述阳极辉光区和所述阴极辉光区之间的等离子体区； 在进行所述等离子体辅助半导体工艺时，使用位于所述半导体工艺腔室周围的多组相机从不同角度和位置拍摄所述半导体工艺腔室内的等离子体的图像，每组相机包括红外相机、可见光相机和紫外相机； 由控制系统对所述图像进行处理； 基于所述图像产生所述半导体工艺腔室内的所述等离子体的三维模型； 基于所述三维模型来探测所述半导体工艺腔室内的电弧； 基于所述三维模型，在所述等离子体辅助半导体工艺期间，利用所述控制系统探测所述半导体工艺腔室内在所述顶部电极和所述晶片之间通过所述阳极辉光区、所述等离子体区和所述阴极辉光区域的所述电弧； 基于所述图像和所述多组相机的所述角度以及所述位置确定所述半导体工艺腔室内所述晶片上的所述电弧的位置；以及 响应于探测到所述电弧，利用控制系统在所述等离子体辅助半导体工艺期间调整所述等离子体辅助半导体工艺。

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