中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张建华获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010708962.8，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种半导体结构的形成方法是由张建华设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和辅助区；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述器件区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层的连接结构；在所述辅助区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽；在所述辅助沟槽侧壁和底部以及所述缓冲层和所述连接结构表面形成磁隧道结材料层，所述磁隧道材料层不填满所述辅助沟槽；刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结。所述缓冲层可以提高辅助沟槽的质量，进而提高磁隧道结的位置精度，此外所述缓冲层还可以提高化学机械研磨所述连接结构时的均匀性。
本发明授权一种半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括器件区和辅助区； 在所述衬底表面形成介质层； 在所述介质层表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料包括富氮氮化钛； 在所述器件区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层的连接结构； 在所述辅助区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽； 在所述辅助沟槽侧壁和底部以及所述缓冲层和所述连接结构表面形成磁隧道结材料层，所述磁隧道材料层不填满所述辅助沟槽； 刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结。
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