松下知识产权经营株式会社清泽努获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010137416.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件是由清泽努;大冈笃志设计研发完成，并于2020-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体外延晶片、半导体元件及半导体外延晶片的制造方法，抑制与半导体晶片的主面平行的面内的元件特性的偏差。半导体外延晶片具备半导体晶片、和配置在半导体晶片的主面上且包含第1导电型的杂质的第1导电型的半导体外延层，与半导体晶片的主面平行的面内的、半导体外延层的厚度分布和半导体外延层的杂质的浓度分布具有正相关。
本发明授权半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延晶片，具备： 半导体晶片；和 第1导电型的半导体外延层，配置在所述半导体晶片的主面上，并且包含第1导电型的杂质， 与所述半导体晶片的所述主面平行的面内的、所述半导体外延层的厚度分布和所述半导体外延层的所述杂质的浓度分布具有正相关， 若将与所述半导体晶片的所述主面平行的面内的两点a、b处的所述半导体外延层的厚度分别设为Da、Db，并且将所述半导体外延层的所述杂质的浓度设为Ca、Cb，则在DaDb时CaCb，或者在DaDb时CaCb。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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